Številka izdelka proizvajalca:
FDS6675BZ
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS6675BZ-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Podroben opis:
P-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
14563 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851286
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS6675BZ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
13mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2470 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDS6675
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FAIFSCFDS6675BZ
FDS6675BZCT
FDS6675BZDKR
FDS6675BZTR
2156-FDS6675BZ-OS
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDD16AN08A0
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK
BSZ058N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 14A/40A 8TSDSON
HUF75842P3
MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3
