FDS6679AZ

Številka izdelka proizvajalca:

FDS6679AZ

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDS6679AZ-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

Podroben opis:

P-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Zaloga:

16261 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12836165

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDS6679AZ Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

13A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

9.3mOhm @ 13A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

96 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±25V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

3845 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.5W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-SOIC

Paket / Primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Osnovna številka izdelka

FDS6679

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDS6679AZDKR

FDS6679AZCT

FDS6679AZTR

Standardni paket

2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

FQD7N20TF

MOSFET N-CH 200V 5.3A DPAK

onsemi

FDT457N

MOSFET N-CH 30V 5A SOT223-4

onsemi

FQA40N25

MOSFET N-CH 250V 40A TO3PN

onsemi

2SK4065-E

MOSFET N-CH 75V 100A SMP