Številka izdelka proizvajalca:
FDS6898A
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDS6898A-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
3964 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12849691
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDS6898A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.4A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
14mOhm @ 9.4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1821pF @ 10V
Moč - največja
900mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
FDS6898
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FAIFSCFDS6898A
FDS6898ATR
2156-FDS6898A-OS
FDS6898ACT
FDS6898ADKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMS3660S
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
FDW2508P
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
AO4822AL_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
