FDS8884
Številka izdelka proizvajalca:

FDS8884

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDS8884-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 30 V 8.5A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Zaloga:

7218 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12838229
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDS8884 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
23mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
635 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
FDS88

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
FDS8884DKR
FDS8884TR
2156-FDS8884-OS
ONSONSFDS8884
FDS8884CT
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDB035N10A

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

onsemi

HUFA75344S3

MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK

onsemi

FCA47N60F_SN00171

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3