FDT439N
Številka izdelka proizvajalca:

FDT439N

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDT439N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4
Podroben opis:
N-Channel 30 V 6.3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Zaloga:

18318 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12851897
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDT439N Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.3A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
45mOhm @ 6.3A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
500 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-223-4
Paket / Primer
TO-261-4, TO-261AA
Osnovna številka izdelka
FDT439

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FDT439N
HTML tehnični list
FDT439N-DG
Tehnični listi
FDT439N

Dodatne informacije

Druga imena
FDT439NDKR
FDT439NCT
FDT439N-DG
FDT439NTR
Standardni paket
4,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFP15N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3

infineon-technologies

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON

vishay-siliconix

IRF730ALPBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK

vishay-siliconix

IRF737LCSTRR

MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK