FDT458P

Številka izdelka proizvajalca:

FDT458P

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDT458P-DG

Opis:

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4

Podroben opis:

P-Channel 30 V 3.4A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Zaloga:

5713 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12839270

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDT458P Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

P-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

30 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

3.4A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

3.5 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

205 pF @ 15 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

3W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-223-4

Paket / Primer

TO-261-4, TO-261AA

Osnovna številka izdelka

FDT458

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDT458P-DG

FDT458PCT

FDT458PDKR

FDT458PTR

Standardni paket

4,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

infineon-technologies

AUIRLR3110Z

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

onsemi

FQD30N06TF

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK

infineon-technologies

AUIRF5210STRL

MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK

onsemi

FQPF7N10

MOSFET N-CH 100V 5.5A TO220F