FDT86102LZ

Številka izdelka proizvajalca:

FDT86102LZ

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDT86102LZ-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT223-4

Podroben opis:

N-Channel 100 V 6.6A (Ta) 2.2W (Ta) Surface Mount SOT-223-4

Zaloga:

7191 Kosi Nova Originalna Na Zalogi

12848072

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDT86102LZ Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

Tape & Reel (TR)

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Active

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

6.6A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

28mOhm @ 6.6A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

3V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1490 pF @ 50 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.2W (Ta)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

SOT-223-4

Paket / Primer

TO-261-4, TO-261AA

Osnovna številka izdelka

FDT86102

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

FDT86102LZ-DG

FDT86102LZFSTR

FDT86102LZFSCT

FDT86102LZFSDKR

Standardni paket

4,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NTD4863NAT4G

MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A DPAK

onsemi

FDFS6N303

MOSFET N-CH 30V 6A 8SOIC

onsemi

FQB5N50CTM

MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK

onsemi

FDS8870

MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC