Številka izdelka proizvajalca:
FDU6N50TU
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDU6N50TU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
12846967
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDU6N50TU Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
UniFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
940 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
89W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
FDU6
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Standardni paket
70
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQI13N06TU
MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
BUK9M6R6-30EX
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
IRL540A
MOSFET N-CH 100V 28A TO220-3
