FDZ298N
Številka izdelka proizvajalca:

FDZ298N

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDZ298N-DG

Opis:

MOSFET N-CH 20V 6A 9BGA
Podroben opis:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 1.7W (Ta) Surface Mount 9-BGA (1.5x1.6)

Zaloga:

12849562
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FDZ298N Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
27mOhm @ 6A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
680 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.7W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
9-BGA (1.5x1.6)
Paket / Primer
9-WFBGA
Osnovna številka izdelka
FDZ29

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
alpha-and-omega-semiconductor

AO4411

MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOI9N50

MOSFET N-CH 500V 9A TO251A

alpha-and-omega-semiconductor

AOD407

MOSFET P-CH 60V 12A TO252

onsemi

HUFA75309D3S

MOSFET N-CH 55V 19A TO252AA