Številka izdelka proizvajalca:
FDZ663P
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FDZ663P-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP
Podroben opis:
P-Channel 20 V 2.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 4-WLCSP (0.8x0.8)
Zaloga:
12838532
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FDZ663P Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
PowerTrench®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
134mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
525 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.3W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
4-WLCSP (0.8x0.8)
Paket / Primer
4-XFBGA, WLCSP
Osnovna številka izdelka
FDZ66
Dodatne informacije
Druga imena
FDZ663PCT
FDZ663PDKR
FDZ663PTR
FDZ663P-DG
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
HUF75343G3
MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3
FQP30N06
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
