Številka izdelka proizvajalca:
FQA11N90
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQA11N90-DG
Opis:
MOSFET N-CH 900V 11.4A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 11.4A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P
Zaloga:
12848779
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQA11N90 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
960mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
300W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FQA1
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDA8440
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TO3PN
NTD110N02R-001
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
AOWF12N60
MOSFET N-CH 600V 12A TO262F
