FQA16N25C
Številka izdelka proizvajalca:

FQA16N25C

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQA16N25C-DG

Opis:

MOSFET N-CH 250V 17.8A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 250 V 17.8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-3P

Zaloga:

12849669
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQA16N25C Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 8.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
53.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1080 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
180W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FQA1

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
450

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FDC640P_F095

MOSFET P-CH 20V 4.5A SUPERSOT6

onsemi

FQP11N40

MOSFET N-CH 400V 11.4A TO220-3

onsemi

FDT86113LZ

MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223-4

onsemi

FDP5800

MOSFET N-CH 60V 14A/80A TO220-3