FQA9N90C
Številka izdelka proizvajalca:

FQA9N90C

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQA9N90C-DG

Opis:

MOSFET N-CH 900V 9A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 900 V 9A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-3P

Zaloga:

12850100
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQA9N90C Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
900 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.4Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2730 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
280W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
FQA9

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
450

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
STW11NK90Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
550
ŠTEVILKA DELA
STW11NK90Z-DG
CENA ENOTE
3.17
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

FQD7P20TF

MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

alpha-and-omega-semiconductor

AOB12N60FDL

MOSFET N-CH 600V 12A TO263

onsemi

FDG315N

MOSFET N-CH 30V 2A SC88

onsemi

FDV303N

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23