Številka izdelka proizvajalca:
FQB5N50CFTM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQB5N50CFTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12850735
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQB5N50CFTM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
FRFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.55Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
625 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
96W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FQB5
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FQB5N50CFTMCT
FQB5N50CFTMTR
FQB5N50CFTMDKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF830ASPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
556
ŠTEVILKA DELA
IRF830ASPBF-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDP047N08-F102
MOSFET N-CH 75V 164A TO220-3
FDD24AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 7.1A/40A TO252AA
HUF76445P3
MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3