Številka izdelka proizvajalca:
FQB6N60TM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQB6N60TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 6.2A (Tc) 3.13W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12839168
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQB6N60TM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.13W (Ta), 130W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FQB6
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB8NM60D
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
2874
ŠTEVILKA DELA
STB8NM60D-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFBC30ASTRLPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
579
ŠTEVILKA DELA
IRFBC30ASTRLPBF-DG
CENA ENOTE
1.26
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STB4NK60ZT4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
4369
ŠTEVILKA DELA
STB4NK60ZT4-DG
CENA ENOTE
0.77
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDD6778A
MOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
FQD5N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
FDS4072N7
MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO
