Številka izdelka proizvajalca:
FQB9N50CTM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQB9N50CTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 9A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12838938
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQB9N50CTM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
800mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1030 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
135W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
FQB9N50
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FQB9N50CTMFSDKR
FQB9N50CTM-DG
FQB9N50CTMFSTR
FQB9N50CTMFSCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FCB260N65S3
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
6
ŠTEVILKA DELA
FCB260N65S3-DG
CENA ENOTE
1.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STB11NK50ZT4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
872
ŠTEVILKA DELA
STB11NK50ZT4-DG
CENA ENOTE
1.34
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQP19N10L
MOSFET N-CH 100V 19A TO220-3
FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
FDME910PZT
MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET
