Številka izdelka proizvajalca:
FQD12N20TM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQD12N20TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12838604
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQD12N20TM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
910 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FQD12N20
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FQD12N20TMFSCT
FQD12N20TMFSTR
FQD12N20TM-DG
FQD12N20TMFSDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQD12N20LTM
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
4955
ŠTEVILKA DELA
FQD12N20LTM-DG
CENA ENOTE
0.27
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDPF4N60NZ
MOSFET N-CH 600V 3.8A TO220F
FQB6N90TM_AM002
MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
FCH072N60
MOSFET N-CH 600V 52A TO247-3