Številka izdelka proizvajalca:
FQD17N08LTM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQD17N08LTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 12.9A TO252
Podroben opis:
N-Channel 80 V 12.9A (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
12846247
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQD17N08LTM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
12.9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 6.45A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11.5 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
520 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 40W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FQD17N08
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FQD17N08LTMDKR
FQD17N08LTMCT
FQD17N08LTMTR
FQD17N08LTM-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRLR3410TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
48747
ŠTEVILKA DELA
IRLR3410TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.38
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
FDC3512
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
FDC3512-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMC510P
MOSFET P-CH 20V 12A/18A 8MLP
FCPF11N60T
MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
AOI4146
MOSFET N-CH 30V 15A/55A TO251A
