Številka izdelka proizvajalca:
FQD19N10LTM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQD19N10LTM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 15.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
9224 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12848929
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQD19N10LTM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
15.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
870 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FQD19N10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
ONSONSFQD19N10LTM
2156-FQD19N10LTM-OS
FQD19N10LTMCT
FQD19N10LTM-DG
FQD19N10LTMTR
FQD19N10LTMDKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOD4132
MOSFET N-CH 30V 85A TO252
FCH041N65EF-F155
MOSFET N-CH 650V 76A TO247
BSO200N03S
MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
