Številka izdelka proizvajalca:
FQD3N30TM
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQD3N30TM-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 300 V 2.4A (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
12850835
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQD3N30TM Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
230 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FQD3
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQP2N60C
MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3
R6050JNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 50A TO247G
FQD6N50CTM_F080
MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK