Številka izdelka proizvajalca:
FQD8P10TM-F085
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQD8P10TM-F085-DG
Opis:
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Podroben opis:
P-Channel 100 V 6.6A (Tc) 2.5W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Zaloga:
8244 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846032
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQD8P10TM-F085 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
530mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
470 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 44W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Razred
Automotive
Kvalifikacija
AEC-Q101
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-252AA
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
FQD8P10
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FQD8P10TM_F085CT-DG
FQD8P10TM-F085TR
FQD8P10TM_F085-DG
FQD8P10TM-F085CT
FQD8P10TM-F085DKR
FQD8P10TM_F085TR
FQD8P10TM_F085DKR-DG
FQD8P10TM_F085TR-DG
FQD8P10TM_F085CT
FQD8P10TM_F085DKR
FQD8P10TM_F085
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDPF6N60ZUT
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F
FQPF9N15
MOSFET N-CH 150V 6.9A TO220F
FCA20N60
MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN