Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FQH8N100C
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQH8N100C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-247-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12840493
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQH8N100C Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.45Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3220 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
225W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-247-3
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
FQH8N100
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FQH8N100C
HTML tehnični list
FQH8N100C-DG
Tehnični listi
FQH8N100C
Dodatne informacije
Druga imena
2156-FQH8N100C-OS
ONSONSFQH8N100C
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STW7N95K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STW7N95K3-DG
CENA ENOTE
2.86
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
APT8M100B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
37
ŠTEVILKA DELA
APT8M100B-DG
CENA ENOTE
3.45
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IXFH12N120P
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXFH12N120P-DG
CENA ENOTE
10.90
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
STW10N105K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STW10N105K5-DG
CENA ENOTE
2.07
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
FQA8N100C
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
230
ŠTEVILKA DELA
FQA8N100C-DG
CENA ENOTE
2.49
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQB13N10TM
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
NTD4909N-35G
MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK
MCH3481-TL-W
MOSFET N-CH 20V 2A SC70FL/MCPH3
NTD4979NT4G
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A DPAK