Številka izdelka proizvajalca:
FQI10N60CTU
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQI10N60CTU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 9.5A (Tc) 3.13W (Ta), 156W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Zaloga:
12850520
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQI10N60CTU Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
730mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2040 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.13W (Ta), 156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262 (I2PAK)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
FQI1
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
AOW11N60
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
773
ŠTEVILKA DELA
AOW11N60-DG
CENA ENOTE
0.82
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFSL9N60APBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
900
ŠTEVILKA DELA
IRFSL9N60APBF-DG
CENA ENOTE
1.21
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FQD10N20CTF
MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
FQD12N20LTF
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
FCP190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
