Številka izdelka proizvajalca:
FQI27N25TU
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQI27N25TU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 250 V 25.5A (Tc) 3.13W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Zaloga:
12850043
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQI27N25TU Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
25.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
110mOhm @ 12.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2450 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.13W (Ta), 180W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262 (I2PAK)
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
FQI27N25
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
FAIFSCFQI27N25TU
2156-FQI27N25TU-OS
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF640NLPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
794
ŠTEVILKA DELA
IRF640NLPBF-DG
CENA ENOTE
0.90
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FCPF190N60
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
AON6268
MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN
FDT55AN06LA0
MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4
