Številka izdelka proizvajalca:
FQN1N50CTA
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQN1N50CTA-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 380mA (Tc) 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Through Hole TO-92-3
Zaloga:
3302 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12846565
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQN1N50CTA Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Cut Tape (CT)
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
380mA (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
195 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
890mW (Ta), 2.08W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Osnovna številka izdelka
FQN1N50
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
FQN1N50CTA-DG
FQN1N50CTACT
FQN1N50CTADKRINACTIVE
FQN1N50CTADKR
2156-FQN1N50CTA-OS
FQN1N50CTADKR-DG
FQN1N50CTATB
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STQ2HNK60ZR-AP
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
9835
ŠTEVILKA DELA
STQ2HNK60ZR-AP-DG
CENA ENOTE
0.28
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOD2606
MOSFET N-CH 60V 14A/46A TO252
AOTF66616L
MOSFET N-CH 60V 38A/72.5A TO220F
FDP085N10A
MOSFET N-CH 100V 96A TO220-3
