Številka izdelka proizvajalca:
FQP2N30
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQP2N30-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 2.1A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 300 V 2.1A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12837245
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQP2N30 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
300 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7Ohm @ 1.05A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
130 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP2
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP12NK30Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
508
ŠTEVILKA DELA
STP12NK30Z-DG
CENA ENOTE
0.99
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMS86181E
FET 100V 4.2 MOHM PQFN56
FQD4P40TM
MOSFET P-CH 400V 2.7A DPAK
FDMB668P
MOSFET P-CH 20V 6.1A 8MLP
