FQP2N40-F080
Številka izdelka proizvajalca:

FQP2N40-F080

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQP2N40-F080-DG

Opis:

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 400 V 1.8A (Tc) 40W (Ta) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12848869
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQP2N40-F080 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.8Ohm @ 900mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
5.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
150 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
40W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP2

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FQP2N40_F080
HTML tehnični list
FQP2N40-F080-DG
Tehnični listi
FQP2N40-F080

Dodatne informacije

Druga imena
FQP2N40_F080
FQP2N40_F080-DG
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FDS8874

MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC

onsemi

FCH47N60N

MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3

onsemi

FQPF4P40

MOSFET P-CH 400V 2.4A TO220F

onsemi

CPH3455-TL-H

MOSFET N-CH 35V 3A 3CPH