FQP32N20C_F080
Številka izdelka proizvajalca:

FQP32N20C_F080

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQP32N20C_F080-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 28A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 28A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12838571
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQP32N20C_F080 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
82mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2200 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
156W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP3

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
FQP(F)32N20C
HTML tehnični list
FQP32N20C_F080-DG
Tehnični listi
FQP32N20C_F080

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
onsemi

FCU3400N80Z

MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

onsemi

FQP6N50

MOSFET N-CH 500V 5.5A TO220-3

onsemi

FDPF7N50

MOSFET N-CH 500V 7A TO220F

onsemi

FQD4N50TM

MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK