Številka izdelka proizvajalca:
FQP3N50C-F080
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQP3N50C-F080-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 1.8A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12837155
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQP3N50C-F080 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
365 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
62W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP3
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
FQP3N50C-F080-DG
FQP3N50C_F080-DG
2832-FQP3N50C-F080-488
FQP3N50C-F080OS
FQP3N50C_F080
2832-FQP3N50C-F080
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IXTP1R6N50D2
PROIZVAJALEC
IXYS
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IXTP1R6N50D2-DG
CENA ENOTE
1.55
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDS8449-F085
MOSFET N-CH 40V 7.6A 8SOIC
HUFA76413D3ST
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
FQAF6N80
MOSFET N-CH 800V 4.4A TO3PF
