Številka izdelka proizvajalca:
FQP3N60
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQP3N60-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 3A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12837977
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQP3N60 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
450 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
75W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP3
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP3NK60Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
5888
ŠTEVILKA DELA
STP3NK60Z-DG
CENA ENOTE
0.58
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFBC30PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
17159
ŠTEVILKA DELA
IRFBC30PBF-DG
CENA ENOTE
0.63
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDBL9401-F085
MOSFET N-CH 40V 300A 8HPSOF
FQD4N25TM
MOSFET N-CH 250V 3A DPAK
FDMS7572S
MOSFET N-CH 25V 23A/49A 8PQFN