FQP5N20
Številka izdelka proizvajalca:

FQP5N20

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQP5N20-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 4.5A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

12849341
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQP5N20 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
270 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
52W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP5

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRF620PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
322
ŠTEVILKA DELA
IRF620PBF-DG
CENA ENOTE
0.40
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
infineon-technologies

IPD096N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3

onsemi

FDS3572

MOSFET N-CH 80V 8.9A 8SOIC

alpha-and-omega-semiconductor

AOTF266L

MOSFET N-CH 60V 18A/78A TO220-3F

onsemi

FQB33N10TM

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK