Številka izdelka proizvajalca:
FQP630TSTU
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQP630TSTU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12846360
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQP630TSTU Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
78W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP6
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF630
PROIZVAJALEC
Harris Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
11535
ŠTEVILKA DELA
IRF630-DG
CENA ENOTE
0.80
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
