FQP630TSTU
Številka izdelka proizvajalca:

FQP630TSTU

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FQP630TSTU-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 9A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

12846360
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

FQP630TSTU Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
550 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
78W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP6

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRF630
PROIZVAJALEC
Harris Corporation
KOLIČINA NA VOLJO
11535
ŠTEVILKA DELA
IRF630-DG
CENA ENOTE
0.80
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
alpha-and-omega-semiconductor

AOTF2N60

MOSFET N-CH 600V 2A TO220-3F

alpha-and-omega-semiconductor

AO3407

MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23-3

alpha-and-omega-semiconductor

AON6534

MOSFET N-CH 30V 20A/30A 8DFN

onsemi

FQP16N25

MOSFET N-CH 250V 16A TO220-3