Številka izdelka proizvajalca:
FQP6N15
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQP6N15-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 6.4A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 150 V 6.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12850575
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQP6N15 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
600mOhm @ 3.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
270 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
63W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
FQP6
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RCX080N25
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
246
ŠTEVILKA DELA
RCX080N25-DG
CENA ENOTE
0.43
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOTF12N65
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3F
BSS100
MOSFET N-CH 100V 220MA TO92-3
FDV302P
MOSFET P-CH 25V 120MA SOT23
