Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
FQPF10N20C
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQPF10N20C-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220F
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9.5A (Tc) 38W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12847249
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQPF10N20C Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 4.75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
510 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
38W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
FQPF10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
FQP10N20C Datasheet
Dodatne informacije
Druga imena
FQPF10N20CFS
FQPF10N20C-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQPF19N20C
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
783
ŠTEVILKA DELA
FQPF19N20C-DG
CENA ENOTE
0.57
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RCX100N25
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
429
ŠTEVILKA DELA
RCX100N25-DG
CENA ENOTE
0.86
VRSTA NADOMESTILA
Direct
ŠTEVILO DELA
RCX120N20
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
RCX120N20-DG
CENA ENOTE
1.09
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRLI630GPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
991
ŠTEVILKA DELA
IRLI630GPBF-DG
CENA ENOTE
1.08
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
IRFI630GPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1686
ŠTEVILKA DELA
IRFI630GPBF-DG
CENA ENOTE
1.16
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDA24N50
MOSFET N-CH 500V 24A TO3PN
FDME510PZT
MOSFET P-CH 20V 6A MICROFET
FQP47P06
MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3
FDD16AN08A0_NF054
MOSFET N-CH 75V 9A/50A DPAK