Številka izdelka proizvajalca:
FQPF1P50
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQPF1P50-DG
Opis:
MOSFET P-CH 500V 1.03A TO220F
Podroben opis:
P-Channel 500 V 1.03A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Zaloga:
12849624
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQPF1P50 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.03A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.5Ohm @ 515mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
350 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
28W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220F-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
FQPF1
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
FDMS8672AS
MOSFET N-CH 30V 18A/28A 8PQFN
AO4449
MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
FQT13N06LTF
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
