Številka izdelka proizvajalca:
FQU2N100TU
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
FQU2N100TU-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
Zaloga:
12839619
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FQU2N100TU Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
QFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
520 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
FQU2N100
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-FQU2N100TU-OS
ONSONSFQU2N100TU
Standardni paket
70
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STU7N105K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STU7N105K5-DG
CENA ENOTE
1.21
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MTY100N10E
MOSFET N-CH 100V 100A TO264
FDMC5614P
MOSFET P-CH 60V 5.7A/13.5A 8MLP
FDPF20N50
MOSFET N-CH 500V 20A TO220F
