Številka izdelka proizvajalca:
HUF75339P3
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
HUF75339P3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
828 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12849290
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HUF75339P3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
UltraFET™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
55 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
75A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
12mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 20 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2000 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
HUF75339
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2166-HUF75339P3-488
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
