Številka izdelka proizvajalca:
HUF75531SK8T
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
HUF75531SK8T-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 6A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 80 V 6A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12846785
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
HUF75531SK8T Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
UltraFET™
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
6A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
30mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 20 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1210 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
HUF75
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF7473TRPBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
6945
ŠTEVILKA DELA
IRF7473TRPBF-DG
CENA ENOTE
0.53
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB70N12S311ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
FQP19N20
MOSFET N-CH 200V 19.4A TO220-3
FDS6690A
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
