Številka izdelka proizvajalca:
IRL610A
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
IRL610A-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12849650
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL610A Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.65A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
240 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
33W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRL61
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AOTF11S65L
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3F
AOWF11N60
MOSFET N-CH 600V 11A TO262F
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
