Številka izdelka proizvajalca:
MJD112-1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
MJD112-1G-DG
Opis:
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Podroben opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A 25MHz 1.75 W Through Hole I-PAK
Zaloga:
153 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12853107
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
MJD112-1G Tehnične specifikacije
Kategorija
Bipolarni (BJT), Enojni bipolarni tranzistorji
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta tranzistorja
NPN - Darlington
Tok - kolektor (Ic) (maks.)
2 A
Napetost - okvara oddajnika kolektorja (maks.)
100 V
Vce nasičenost (maks.) @ ib, ic
3V @ 40mA, 4A
Prekinitev toka - kolektorja (maks.)
20µA
Enosmerni tokovni dobiček (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Moč - največja
1.75 W
Frekvenca - prehod
25MHz
Delovna temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Osnovna številka izdelka
MJD112
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ONSONSMJD112-1G
MJD1121G
=MJD112
MJD112-1GOS
2156-MJD112-1G-OS
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
MJE182G
TRANS NPN 80V 3A TO126
KSC5402DTTU
TRANS NPN 450V 2A TO220-3
MMBTA55LT1G
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
