Številka izdelka proizvajalca:
NDD04N50Z-1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NDD04N50Z-1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole IPAK
Zaloga:
12844955
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NDD04N50Z-1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 50µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
308 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
61W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
IPAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
NDD04
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
NDD04N50Z-1GOS
2156-NDD04N50Z-1G-ON
NDD04N50Z-1G-DG
ONSONSNDD04N50Z-1G
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STD4N52K3
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STD4N52K3-DG
CENA ENOTE
0.50
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
