Številka izdelka proizvajalca:
NDS8926
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NDS8926-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 5.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12857396
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NDS8926 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
35mOhm @ 5.5A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
760pF @ 10V
Moč - največja
900mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
NDS892
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
NDS8926TR
NDS8926CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTHD4401PT3G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
NVMFD5C446NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 40V 25A/145A 8DFN
NTHD4401PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A CHIPFET
