Številka izdelka proizvajalca:
NDS9957
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NDS9957-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 60V 2.6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12929923
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NDS9957 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
60V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.6A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
160mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
200pF @ 30V
Moč - največja
900mW
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
NDS995
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
NDS9957TR
NDS9957CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
ZXMN6A11DN8TA
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
4519
ŠTEVILKA DELA
ZXMN6A11DN8TA-DG
CENA ENOTE
0.27
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
SP8K3FD5TB1
MOSFET 2N-CH 30V 8SOP
SP8J62TB1
MOSFET 2P-CH 30V 8SOP
