NE5517DR2G
Številka izdelka proizvajalca:

NE5517DR2G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NE5517DR2G-DG

Opis:

IC OPAMP TRANSCOND 2 CIRC 16SOIC
Podroben opis:
Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC

Zaloga:

6073 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12857105
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NE5517DR2G Tehnične specifikacije

Kategorija
Ojačevalniki, Instrumentacija, Ojačevalniki operacij, Ojačevalniki buffer
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta ojačevalnika
Transconductance
Število tokokrogov
2
Vrsta izhoda
Push-Pull
Hitrost preklopa
50V/µs
Izdelek za pridobitev pasovne širine
2 MHz
Tok - vhodna pristranskost
400 nA
Napetost - vhodni odmik
400 µV
Current - Dobava
2.6mA
Tok - izhod / kanal
500 µA
Napetost - razpon napajanja (min)
4 V
Napetost - razpon napajanja (maks.)
44 V
Delovna temperatura
0°C ~ 70°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
16-SOIC
Osnovna številka izdelka
NE5517

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
NE5517DR2GOSCT
2156-NE5517DR2G-OS
NE5517DR2GOSTR
NE5517DR2G-DG
=NE5517DR2GOSCT-DG
ONSONSNE5517DR2G
Standardni paket
2,500

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.33.0001
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

SA5534AN

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8DIP

onsemi

NCS20092DMR2G

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8MSOP

onsemi

NCV33074ADR2G

IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14SOIC

renesas-electronics-america

ISL28114FEZ-T7

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT SC70-5