NTD3817N-35G

Številka izdelka proizvajalca:

NTD3817N-35G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTD3817N-35G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 16V 7.6A/34.5A IPAK

Podroben opis:

N-Channel 16 V 7.6A (Ta), 34.5A (Tc) 1.2W (Ta), 25.9W (Tc) Through Hole IPAK

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12843479

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NTD3817N-35G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

16 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

7.6A (Ta), 34.5A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

13.9mOhm @ 15A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

10.5 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±16V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

702 pF @ 12 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.2W (Ta), 25.9W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

IPAK

Paket / Primer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Osnovna številka izdelka

NTD38

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

NTD3817N-35G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

2156-NTD3817N-35G-ON

ONSONSNTD3817N-35G

Standardni paket

75

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

panasonic

2SK3048

MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1

onsemi

NTR4502PT3G

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3

vishay-siliconix

IRF840LPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB

vishay-siliconix

IRFBE20L

MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK