NTD4860N-1G
Številka izdelka proizvajalca:

NTD4860N-1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTD4860N-1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 25 V 10.4A (Ta), 65A (Tc) 1.28W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK

Zaloga:

12856780
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

NTD4860N-1G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.4A (Ta), 65A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1308 pF @ 12 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.28W (Ta), 50W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Osnovna številka izdelka
NTD48

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
ONSONSNTD4860N-1G
2156-NTD4860N-1G-ON
Standardni paket
75

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
onsemi

NTLUS4930NTBG

MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN

onsemi

NVMFS5C456NLAFT3G

MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN

onsemi

NTMS7N03R2

MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC

onsemi

NTTFS4C10NTWG

MOSFET N-CH 30V 8.2A/44A 8WDFN