NTD5867NL-1G

Številka izdelka proizvajalca:

NTD5867NL-1G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTD5867NL-1G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 20A IPAK

Podroben opis:

N-Channel 60 V 20A (Tc) 36W (Tc) Through Hole IPAK

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12847869

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NTD5867NL-1G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

60 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

20A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

4.5V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

39mOhm @ 10A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

15 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

675 pF @ 25 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

36W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

IPAK

Paket / Primer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Osnovna številka izdelka

NTD58

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

NTD5867NL-1G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

NTD5867NL-1G-DG

NTD5867NL-1GOS

NTD5867NL1G

2156-NTD5867NL-1G-ON

Standardni paket

75

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

onsemi

NTBV45N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NDS355AN-NB9L007A

MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3

onsemi

NTMFS4C06NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A/69A 5DFN

onsemi

FQD16N25CTM_F080

MOSFET N-CH 250V 16A DPAK