Številka izdelka proizvajalca:
NTD60N02R-35G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTD60N02R-35G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
Podroben opis:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Through Hole I-Pak
Zaloga:
12858358
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTD60N02R-35G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1330 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I-PAK
Paket / Primer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Osnovna številka izdelka
NTD60
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
ONSONSNTD60N02R-35G
2156-NTD60N02R-35G-ON
Standardni paket
75
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SCH1331-S-TL-H
MOSFET P-CH 12V 3A SCH6
NVMFS5C604NLT3G
MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN
NVMFS6B75NLWFT1G
MOSFET N-CH 100V 7A/28A 5DFN
