Številka izdelka proizvajalca:
NTD60N02RT4G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTD60N02RT4G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 25 V 8.5A (Ta), 32A (Tc) 1.25W (Ta), 58W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
12842347
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTD60N02RT4G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
25 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Ta), 32A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
10.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1330 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Ta), 58W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
NTD60
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
NTD60N02RT4GOSCT
=NTD60N02RT4GOSCT-DG
NTD60N02RT4GOS
NTD60N02RT4GOS-DG
NTD60N02RT4GOSTR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTLGF3501NT2G
MOSFET N-CH 20V 2.8A 6DFN
NTTFS5116PLTAG
MOSFET P-CH 60V 5.7A 8WDFN
BSP612PH6327XTSA1
SMALL SIGNAL+P-CH
