Številka izdelka proizvajalca:
NTE4151PT1G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NTE4151PT1G-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 760MA SC89-3
Podroben opis:
P-Channel 20 V 760mA (Tj) 313mW (Tj) Surface Mount SC-89-3
Zaloga:
26703 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12847099
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NTE4151PT1G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
760mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
360mOhm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
2.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±6V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
156 pF @ 5 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
313mW (Tj)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SC-89-3
Paket / Primer
SC-89, SOT-490
Osnovna številka izdelka
NTE4151
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
2156-NTE4151PT1G-OS
ONSONSNTE4151PT1G
NTE4151PT1GOSCT
NTE4151PT1GOSDKR
NTE4151PT1GOSTR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTTFS4C65NTWG
MOSFET N-CH 30V 27A 8WDFN
FDMS4D0N12C
MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
HUFA75339S3ST
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
